Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : 32.844.1/М78 Заглавие : МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов Параллельн. заглавия :Process and Device Simulaion for MOS-VLSI Circuits Выходные данные : Москва: Радио и связь, 1988 Колич.характеристики :496 с.: рис., табл. Примечания : Лит.: с. 488-490. - Список работ, пер. на рус. яз.: с. 491 ISBN, Цена 5-256-00130-2: 4.10 р. ББК : 32.844.1 Предметные рубрики: Інтегральні мікросхеми-- Виготовлення Математичне моделювання-- Технологічні процеси Географич. рубрики: фывфывфыв (''Своб.индексиров.''): интегральные микросхемы--математическое моделирование--технологические процессы--диффузия в кремнии--дифузія в кремнії--термическое окисление кремния--термічне окислення кремнію--хлорированные окислы--хлоровані оксиди--ионная имплантация--іонна імплантація--пучковый отжиг имплантированного кремния--пучковий отжиг імплантованого кремнію--контроль материалов--контроль матеріалів--поликристаллические кремниевые структуры--полікристалічні кремнієві структури--двумерное моделирование--двовимірне моделювання--численное моделирование процессов--чисельне моделювання процесів--оптическая литография--оптична літографія--анализ планарных приборов--аналіз планарних приладів--метод конечных элементов--метод кінцевих елементів Аннотация: Модели диффузии, ионной имплантации, окисления, отжига, литографии, травления и модели, описывающие функциональные МОП-транзисторов. Экземпляры :ВВ(1) Свободны : ВВ(1) Держатели документа: ЖОУНБ ім. О. Ольжича Доп.точки доступа: Антонетти, П. \ред.\; Антониадис, Д. \ред.\; Даттон, Р. \ред.\; Оулдхем, У. \ред.\; Кустов, В. Л. \пер.\; Петров, В. М. \пер.\; Селляхова, Р. А. \пер.\; Сурис, Р. А. \ред.\