Про нас Електронний депозитарій LIBO Зведений каталог України
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Електронний каталог ЖОУНБ ім. О. Ольжича- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: <.>K=рентгеноспектральный анализ<.>
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 548.53(075)/Б 90
Автор(ы) : Бублик, Владимир Тимофеевич, Дубровина А. Н.
Заглавие : Сборник задач и упражнений по курсу "Методы исследования структуры" : учеб. пособие
Выходные данные : М.: Высш. шк., 1988
Колич.характеристики :192 с.: рис., табл.
Примечания : Прил.: с. 169-190. - Лит.: с. 191
ISBN, Цена 5-06-001309-X: 0.50 р.
УДК : 548.53(075)
ББК : 22.37я73
Предметные рубрики: Тверді тіла-- Фізика-- Задачі (навч.)
Географич. рубрики:
Аннотация: Содержатся задачи и упражнения по следующим разделам: микроскопические исследования в видимом свете; рентгенодифракционные методы исследования структуры полупроводниковых, диэлектрических и металлических материалов, электронно-оптические методы.
Экземпляры : всего : ФОНД(2)
Свободны : ФОНД(2)
Найти похожие

2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.315.592/С 51
Автор(ы) : Смородина, Татьяна Александровна, Шефталь, Николай Наумович, Цуранов, Александр Павлович
Заглавие : Вхождение примесных центров в кристаллический слой полупроводника : (процессы образования монокристаллических слоев для микроэлектроники)
Выходные данные : Л.: Наука, Ленингр. отд-ние, 1986
Колич.характеристики :176 с.: рис., табл.
Коллективы : Академия наук CССР, Ордена Ленина физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова
Примечания : Лит.: с. 161-171
Цена : 1.60 р.
УДК : 621.315.592
ББК : 32.843.3
Предметные рубрики: Напівпровідники-- Кристалографія
Географич. рубрики:
Аннотация: Рассмотрена связь условий вхождения примеси в растущий слой полупроводника с микро- и макроморфологией возникающей в нем дефектов.
Экземпляры :ВВ(1)
Свободны : ВВ(1)
Найти похожие

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)