Зведений каталог Житомирської обласної універсальної наукової бібліотеки ім. О. Ольжича та бібліотек Житомирської області

Про нас

Електронний депозитарій LIBO

Зведений каталог України

Бази даних

Електронний каталог ЖОУНБ ім. О. Ольжича- результати пошуку

Вид пошуку

Електронний каталог ЖОУНБ ім. О. Ольжича

Цінні та рідкісні видання ЖОУНБ ім. О. Ольжича

Звягельська бібліотека ЗМР

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>K=ионная имплантация<.>

Загальна кількість знайдених документів : 5
Показані документи с 1 за 5

Форма документа : Багатотомне видання
Шифр видання : 32.844.1/Т38
Автор(и) : Пирс К., Адамс А., Кац Л., Цай Джю
Назва : Технология СБИС = VLSI Technology: в 2 кн./ под ред. С. Зи. Кн. 1
Вихідні дані : Москва: Мир, 1986 - 1986
Примітки : Библиогр. в конце глав. - Авт. зазначено на звороті тит. арк.
Ціна : 3.0 р.
ББК : 32.844.1
Предметні рубрики: Електронні прилади-- Інтегральні мікросхеми-- Технологія
Ключові слова (''Вільн.індекс.''): электронные устройства--интегральные микросхемы--электронный кремний--електронний кремній--рост кристаллов--ріст кристалів--эпитаксия--епітаксія--осаждение диэлектрических пленок--осадження діелектричних плівок--окисление--окислення--диффузия--дифузія--ионная имплантация--іонна імплантація--литография--літографія
Анотація: Получение микрокристаллов кремния, подготовка подложек, выращивания эпитаксиальных слоев, осаждения пленок.
Примірники :ВВ(1)
Вільні : ВВ(1)
Знайти схожі

Форма документа : Однотомне видання
Шифр видання : 32.844.1/М78
Назва : МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов
Паралельн. назви :Process and Device Simulaion for MOS-VLSI Circuits
Вихідні дані : Москва: Радио и связь, 1988
Кільк.характеристики :496 с.: рис., табл.
Примітки : Лит.: с. 488-490. - Список работ, пер. на рус. яз.: с. 491
ISBN, Ціна 5-256-00130-2: 4.10 р.
ББК : 32.844.1
Предметні рубрики: Інтегральні мікросхеми-- Виготовлення
Математичне моделювання-- Технологічні процеси
Географіч. рубрики:
Ключові слова (''Вільн.індекс.''): интегральные микросхемы--математическое моделирование--технологические процессы--диффузия в кремнии--дифузія в кремнії--термическое окисление кремния--термічне окислення кремнію--хлорированные окислы--хлоровані оксиди--ионная имплантация--іонна імплантація--пучковый отжиг имплантированного кремния--пучковий отжиг імплантованого кремнію--контроль материалов--контроль матеріалів--поликристаллические кремниевые структуры--полікристалічні кремнієві структури--двумерное моделирование--двовимірне моделювання--численное моделирование процессов--чисельне моделювання процесів--оптическая литография--оптична літографія--анализ планарных приборов--аналіз планарних приладів--метод конечных элементов--метод кінцевих елементів
Анотація: Модели диффузии, ионной имплантации, окисления, отжига, литографии, травления и модели, описывающие функциональные МОП-транзисторов.
Примірники :ВВ(1)
Вільні : ВВ(1)
Знайти схожі

Форма документа : Однотомне видання
Шифр видання : 621.3.049.77:621./А 85-105900
Автор(и) : Уиссмен У., Френсли У., Дункан У., Уестфел Дж.
Назва : Арсенид галлия в микроэлектронике
Паралельн. назви :VLSI Elctronics Microstructure Scince
Вихідні дані : М.: Мир, 1988
Кільк.характеристики :555 с.: рис., табл.
Примітки : Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 548-552. - Авт. указ. на оборот. тит. л.
ISBN, Ціна 5-03-000130-1: 4.90 р.
УДК : 621.3.049.77:621.382.2/.3
ББК : 32.844.1 + 31.233
Предметні рубрики: Інтегральні мікросхеми-- Проектування
Електротехнічні матеріали і вироби
Географіч. рубрики:
Анотація: Разработки и технология изготовление арсенидгаллиевых интегральных схем, обладающих высокой стойкостью к воздействию радиации и высоких температур.
Примірники :ВВ(1)
Вільні : ВВ(1)
Знайти схожі

Форма документа : Однотомне видання
Шифр видання : 621.3.049.77(035)/Г74
Автор(и) : Готра, Зенон Юрьевич
Назва : Технология микроэлектронных устройств : справочник
Вихідні дані : М.: Радио и связь, 1991
Кільк.характеристики :528 с.: рис., табл.
Примітки : Лит.: с. 526
ISBN, Ціна 5-256-00699-1: 4.00 крб
УДК : 621.3.049.77(035)
ББК : 32.844.1я2
Предметні рубрики: Мікроелектроніка-- Пристрої
Географіч. рубрики:
Ключові слова (''Вільн.індекс.''): монокристаллические материалы--монокристалічні матеріали--кристаллы полупроводниковых материалов--кристали напівпровідникових матеріалів--полупроводниковые подложки--напівпровідникові підкладки--диффузия--дифузія--технология эпитаксальных слоев--технологія епітаксальних шарів--ионная имплантация--іонна імплантація--технология тонких пленок--технологія тонких плівок--фотошаблоны--фотошаблони--литографические процессы--літографічні процеси--сборка микроэлектронных устройств--складання мікроелектронних пристроїв--герметизация микроэлектронных устройств--герметизація мікроелектронних пристроїв
Анотація: Механические, химические, ионные, плазменные, электронно-лучевые и другие методы обработки в технологии микроэлектронных устройств.
Примірники : всього : ВВ(1), АБ(1), ФОНД(2)
Вільні : ВВ(1), АБ(1), ФОНД(2)
Знайти схожі

Форма документа : Однотомне видання
Шифр видання : 539.1/2(075.8)/Т76
Автор(и) : Трохимчук, Петро Павлович
Назва : Радіаційна фізика твердого тіла (курс лекцій) : навч. посібник
Вихідні дані : Луцьк: "Вежа" Волин. держ. ун-ту ім. Л. Українки, 2007
Кільк.характеристики :394 с.: рис.
Примітки : Л-ра: с. 329-355. - Дод.: с. 356-377. - Предм.-ім. покажч.: с. 378-393
ISBN, Ціна 978-966-600-298-6: 22.00 грн
УДК : 539.1/2(075.8)
ББК : 22.383.5я73 + 22.37я73
Предметні рубрики: Фізика-- Тверді тіла
Ядерна фізика
Географіч. рубрики:
Анотація: Основні теоретичні підходи радіаційної фізики твердого тіла й аналіз базових експериментальних результатів.
Примірники :ЧЗ(1)
Вільні : ЧЗ(1)
Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)