П 46 Пожаров, Анатолий Михайлович. Криоэлектронные усилители низких, средних и высоких частот [] / А. М. Пожаров ; под ред. В. Н. Алфеева. - М. : Радио и связь, 1983. - 104 с. : рис., табл. - Лит.: с. 101-104. - 0.30 р.
Рубрики: Підсилювачі--Практичні посібники фывфывфыв: электрический шум в усилителях -- електричний шум в підсилювачах -- шумовой предел -- шумова межа -- биополярные транзисторы -- біополярні транзистори -- полевые транзисторы -- польові транзистори -- параметрические усилители -- параметричні підсилювачі -- туннельный диод -- тунельний діод Аннотация: Вопросы охлаждения до низких температур усилителей на биополярны полевых транзисторах, туннельных и параметрических диодах. Держатели документа: ЖОУНБ ім. О. Ольжича Доп.точки доступа: Алфеева, В. Н. \ред.\ Экземпляры всего: 1 ВВ (1) Свободны: ВВ (1) |
В 12 Важенина, Зоя Павловна. Импульсные генераторы на полупроводниковых приборах [] / З. П. Важенина ; [редкол.: А. И. Берг и др.]. - М. : Энергия, 1977. - 112 с. : рис., табл. - (Массовая радиобиблиотека ; вып. 939). - Лит.: с. 112. - 0.54 р.
Рубрики: Імпульсні генератори--Практичні посібники фывфывфыв: биополярные транзисторы -- біполярні транзистори -- полевые транзисторы -- польові транзистори -- мультивибраторы -- мультивібратори -- блокинг-генераторы -- блокінг-генератори Аннотация: Схемы импульсных генераторов на транзисторах, принцип их действия и примеры расчета. Держатели документа: ЖОУНБ ім. О. Ольжича Доп.точки доступа: Берг А. И. \ред.\; Борисов, В. Г. \ред.\; Белкин , Б. Г. \ред.\; Ванеев, В. И. \ред.\ Экземпляры всего: 1 ВВ (1) Свободны: ВВ (1) |
П53 Полупроводниковые приборы: транзисторы [] : справ. / [В. Л. Аронов и др.] ; под общ. ред. Н. Н. Горюнова. - Москва : Энергоиздат, 1982. - 903, [1] с. : ил., рис., табл. - Авт. зазначено на звороті тит. арк. - Алф. указ.: с. 901-904. - 15.00 грн
Рубрики: Радіоелектронна апаратура--Довідкові видання фывфывфыв: радиоэлектронная аппаратура -- биополярные транзисторы -- біополярні транзистори -- полевые транзисторы -- польові транзистори -- применение транзисторов -- застосування транзисторів Аннотация: Приведены электрические параметры, габаритные размеры, предельные эксплуатационные данные и другие характеристики серийно выпускаемых транзисторов широкого применения. Держатели документа: ЖОУНБ ім. О. Ольжича Доп.точки доступа: Аронов, Вадим Львович; Баюков, Альберт Валентинович; Зайцев, Анатолий Александрович; Каменецкий, Юрий Аронович; Горюнов, Н. Н. \ред.\ Экземпляры всего: 3 ВВ (1), АБ (2) Свободны: ВВ (1), АБ (2) |