621.382 Р69     Ромака, Володимир Афанасійович.     Інтерметалічні напівпровідники: властивості та застосування [] : монографія / В. А. Ромака, В. В. Ромака, Ю. В. Стадник ; М-во освіти і науки, молоді та спорту України [та ін.]. - Л. : Вид-во Львів. політехніки, 2011. - 488 с. : табл., рис. - Бібліогр.: с. 468-484. - ISBN 978-617-607-053-5 : 96.00 грн УДК 621.382 ББК 32.852 Рубрики: Напівпровідники--Фізика--Властивості--Навчальні видання    Ніпівпровідникові матеріали та вироби--Навчальні видання     фывфывфыв: інтерметалічні напівпровідники -- интерметаллические полупроводники -- кристалічні напівпровідники -- кристаллические полупроводники -- рівняння Хартрі-Фока -- уравнение Хартри-Фока -- сильнолеговані напівпровідники -- сильнолегированные полупроводники -- сильнокомпенсовані напівпровідники -- легування напівпровідників -- легирование полупроводников -- твердий розчин заміщення -- твердый раствор замещения -- реалізація термометричних елементів -- реализация термометрических элементов -- структура напівпровідника -- структура полупроводника -- локальна аморфізація кристала -- локальная аморфизация кристалла -- моделі кристалічної стуктури -- модели кристаллической структуры -- коефіцієнт термоелектричної потужності -- коэффициент термоэлектрической мощности Аннотация: Сучасні методи дослідження структури речовини та її електронного спектра, описано фізичні процеси у новому класі термоелектричних матеріалів - в інтерметалічних напівпровідниках. Держатели документа: ЖОУНБ ім. О. Ольжича Доп.точки доступа: Ромака, Віталій Володимирович; Стадник, Юрій Володимирович; Міністерство освіти і науки, молоді та спорту України; Національний університет "Львівська політехніка"Національна академія наук України; Інститут прикладних проблем механіки і математики ім. Я. С. Підстригача Экземпляры всего: 1 ВВ (1) Свободны: ВВ (1)

32.844.1 П56     Пономарев, Михаил Федорович.     Конструирование и расчет микросхем и микропроцессоров [] : учеб. пособие для вузов / М. Ф. Пономарев, Б. Г. Коноплев. - Москва : Радио и связь, 1986. - 176 с. : рис., табл. - Лит.: с. 173-174. - 0.35 р.ББК 32.844.1 Рубрики: Мікросхеми--Розрахунок--Конструювання--Навчальні видання для вищої школи    Мікропроцесори--Розрахунок--Конструювання--Навчальні видання для вищої школи     фывфывфыв: микросхемы -- микропроцессоры -- курсовое проектирование -- курсове проектування -- методика конструирования -- методика конструювання -- процессы ионного травления -- процеси іонного травлення -- биполярные транзисторы -- біполярні транзистори -- легирование полупроводников -- легування напівпровідників -- полупроводниковые интегральные микросхемы -- напівпровідникові інтегральні мікросхеми -- технологический процесс изготовления микросборки -- технологічний процес виготовлення мікрозбірки -- проектирование микросхем -- проектування мікросхем -- конденсаторы -- конденсатори -- толстопленочные микросборки -- товстоплівкові мікрозбірки -- программы анализа электронных схем -- програми аналіза електронних схем Аннотация: Методические указания к выполнению курсового проекта по расчету, конструированию и технологии производства интегральных микросхем. Держатели документа: ЖОУНБ ім. О. Ольжича Доп.точки доступа: Коноплев, Борис Георгиевич Экземпляры всего: 1 ВВ (1) Свободны: ВВ (1)

32.85 С95     Сыноров, Владимир Федорович.     Физика МДП-структур [] : учеб. пособие / В. Ф. Сыноров, Ю. С. Чистов ; [ред. Б. К. Петров]. - Воронеж : Изд-во Воронеж. ун-та, 1989. - 224 с. : рис., табл. - Прил.: с. 212-222. - Лит.: с. 223. - ISBN 5-7455-0133-2 : 0.40 р.ББК 32.85 + 32.844.1 Рубрики: Напівпровідники--Фізика--Властивості--Навчальні видання    Інтегральні мікросхеми--Напівпровідникові прилади--Проектування--Навчальні видання     фывфывфыв: полупроводники -- физика -- интегральные микросхемы -- полупроводниковые приборы -- поверхностные электронные состояния -- поверхневі електронні стани -- таммовские состояния -- таммовскі стани -- состояния Шокли -- стани Шоклі -- природа поверхности полупроводников -- природа поверхні напівпровідників -- нейтральный объем полупроводников -- нейтральний обсяг напівпровідників -- электрофизические характеристики -- легирование полупроводников -- легування напівпровідників -- полевые механизмы генерации -- польові механізми генерації -- энергетическое распределение граничных состояний -- енергетичний розподіл граничних станів -- интегральный емкостный метод -- інтегральний ємнісний метод -- метод температурной зависимости -- метод температурної залежності -- метод неравновесных характеристик -- метод нерівноважних характеристик Аннотация: Природа поверхности полупроводников и границы раздела полупроводник-диэлектрик, даны введение в феноменологическую теорию припорерхностной области и ее характеристики. Держатели документа: ЖОУНБ ім. О. Ольжича Доп.точки доступа: Чистов, Юрий Сергеевич; Петров, Б. К. \ред.\ Экземпляры всего: 1 ВВ (1) Свободны: ВВ (1)