621.3.049.77
A23
Агаханян, Татевос Мамиконович.
Радиационные эффекты в интегральных микросхемах [] / Т. М. Агаханян. - М. : Энергоатомиздат, 1989. - 256 с. : рис., табл. - Лит.: с. 242-251. - ISBN 5-283-02963-8 : 3.20 р.ББК 32.844.1
Рубрики: Інтегральні мікросхеми--Наукові видання
фывфывфыв:
оценка внутренней радиационной обстановки -- оцінка внутрішньої радіаційної обстановки -- формирование радиационных эффектов -- формування радіаційних ефектів -- электрофизические параметры полупроводников -- елетрофізичні параметри напівпровідників -- электрофизические параметры диэлектриков -- електрофізичні параметри діелектриків -- биполярные транзисторы -- біполярні транзистори -- униполярые транзисторы -- уніполярні транзистори -- модели электронно-дырочных переходов -- моделі електронно-діркових переходів -- транзисторные структуры -- транзисторні структури -- шумовые свойства транзисторов -- шумові властивості транзисторів -- логические микросхемы -- логічні мікросхеми -- биполярные микросхемы -- біполярні мікросхеми -- стойкость цифровых микросхем -- стійкість цифрових мікросхем -- остаточные радиационные эффекты -- залшкові радіаційні еффекти
Аннотация: Теория взаимодействия ионизирующих излучений с материалами электронной техники.
Держатели документа:
ЖОУНБ ім. О. Ольжича
Доп.точки доступа:
Аствацатурьян, Евгений Раффиевич; Скоробогатов, Петр Константинович; Агаханян, Татевос Мамиконович \ред.\
Экземпляры всего: 1
ВВ (1)
Свободны: ВВ (1)
|