С 51 Смородина, Татьяна Александровна. Вхождение примесных центров в кристаллический слой полупроводника [] : (процессы образования монокристаллических слоев для микроэлектроники) / Т. А. Смородина, Н. Н. Шефталь, А. П. Цуранов ; отв. ред. И. А. Смирнов ; Акад. наук CССР, Физико-технич. ин-т, Ин-т кристаллографии . - Л. : Наука, Ленингр. отд-ние, 1986. - 176 с. : рис., табл. - Лит.: с. 161-171. - 1.60 р.
Рубрики: Напівпровідники--Кристалографія--Наукові видання фывфывфыв: оптическая микроскопия -- оптична мікроскопія -- аномальное прохождение рентгеновских лучей -- аномальний прохід рентгенівських променів -- фотоупругость -- фотопружність -- рентгеноспектральный анализ -- рентгеноспектральний аналіз -- автоэлектронная микроскопия -- автоелектронна мікроскопія -- кристаллография материалов -- кристалографія матеріалів -- дефекты кристаллической структуры -- дефекти кристалічної структури -- нестехиометрия -- нестехіометрія -- изоморфизм -- ізоморфізм -- чужеродные атомы -- сторонні атоми -- двумерные несовершенства решетки -- двомірні недосконалості решітки -- кристаллические примесные комплексы -- кристалічні домішкові комплекси -- поверхностная сегрегация -- поверхнева сегрегація -- термодинамика сегрегации -- термодинаміка сегрегації -- выращивание кристаллов -- вирощування кристалів Аннотация: Рассмотрена связь условий вхождения примеси в растущий слой полупроводника с микро- и макроморфологией возникающей в нем дефектов. Держатели документа: ЖОУНБ ім. О. Ольжича Доп.точки доступа: Шефталь, Николай Наумович; Цуранов, Александр Павлович; Смирнов, И. А. \ред.\; Академия наук CССР; Ордена Ленина физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе; Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова Экземпляры всего: 1 ВВ (1) Свободны: ВВ (1) |