Б 90 Бублик, Владимир Тимофеевич. Сборник задач и упражнений по курсу "Методы исследования структуры" [] : учеб. пособие / В. Т. Бублик, А. Н. Дубровина. - М. : Высш. шк., 1988. - 192 с. : рис., табл. - Прил.: с. 169-190. - Лит.: с. 191. - ISBN 5-06-001309-X : 0.50 р.
Рубрики: Тверді тіла--Фізика--Задачі (навч.)--Навчальні видання для вищої школи фывфывфыв: структурный анализ -- структурний аналіз -- кристаллические решётки -- кристалічні решітки -- коротковолновые излучения -- короткохвильові випромінювання -- рентгеновские лучи -- рентгенівські промені -- ряды Фурье -- ряди Фур'є -- кинематическое рассеяние -- кінематичне розсіювання -- динамическое рассеяние -- динамічне розсіювання -- рентгеноструктурный анализ -- рентгеноструктурный анализ -- рентгеноспектральный анализ -- рентгеноспектральный анализ -- электронография -- електронографія -- электронная микроскопия -- електронна мікроскопія -- диэлектрики -- діелектрики -- полупроводники -- напівпровідники Аннотация: Содержатся задачи и упражнения по следующим разделам: микроскопические исследования в видимом свете; рентгенодифракционные методы исследования структуры полупроводниковых, диэлектрических и металлических материалов, электронно-оптические методы. Держатели документа: ЖОУНБ ім. О. Ольжича Доп.точки доступа: Дубровина, А. Н. Экземпляры всего: 2 ФОНД (2) Свободны: ФОНД (2) |
С 51 Смородина, Татьяна Александровна. Вхождение примесных центров в кристаллический слой полупроводника [] : (процессы образования монокристаллических слоев для микроэлектроники) / Т. А. Смородина, Н. Н. Шефталь, А. П. Цуранов ; отв. ред. И. А. Смирнов ; Акад. наук CССР, Физико-технич. ин-т, Ин-т кристаллографии . - Л. : Наука, Ленингр. отд-ние, 1986. - 176 с. : рис., табл. - Лит.: с. 161-171. - 1.60 р.
Рубрики: Напівпровідники--Кристалографія--Наукові видання фывфывфыв: оптическая микроскопия -- оптична мікроскопія -- аномальное прохождение рентгеновских лучей -- аномальний прохід рентгенівських променів -- фотоупругость -- фотопружність -- рентгеноспектральный анализ -- рентгеноспектральний аналіз -- автоэлектронная микроскопия -- автоелектронна мікроскопія -- кристаллография материалов -- кристалографія матеріалів -- дефекты кристаллической структуры -- дефекти кристалічної структури -- нестехиометрия -- нестехіометрія -- изоморфизм -- ізоморфізм -- чужеродные атомы -- сторонні атоми -- двумерные несовершенства решетки -- двомірні недосконалості решітки -- кристаллические примесные комплексы -- кристалічні домішкові комплекси -- поверхностная сегрегация -- поверхнева сегрегація -- термодинамика сегрегации -- термодинаміка сегрегації -- выращивание кристаллов -- вирощування кристалів Аннотация: Рассмотрена связь условий вхождения примеси в растущий слой полупроводника с микро- и макроморфологией возникающей в нем дефектов. Держатели документа: ЖОУНБ ім. О. Ольжича Доп.точки доступа: Шефталь, Николай Наумович; Цуранов, Александр Павлович; Смирнов, И. А. \ред.\; Академия наук CССР; Ордена Ленина физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе; Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова Экземпляры всего: 1 ВВ (1) Свободны: ВВ (1) |