621.373.5 О-72     Осадчук, Володимир Степанович.     Генератори електричних коливань на основі транзисторних структур з від'ємним опором [] : монографія / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, А. О. Семенов. - Вінниця : ВНТУ, 2009. - 184 с. : рис. - Л-ра: с.170. - ISBN 978-966-641-315-7 : 18.00 грн УДК 621.373.5 ББК 32.848-041 Рубрики: Радіотехніка--Генератори --Наукові видання     фывфывфыв: широкодіапазонні ГЕК -- широкодиапазонные генераторы -- потужність генератора -- мощность генератора -- кварцовий генератор -- кварцовые генераторы -- транзисторі структури -- транзисторные структуры -- математична модель ГЕК -- математическая модель ГЭК -- нелінійна модель ГЕК -- нелинейная модель ГЭК -- діапазонні ГЕК -- диапазонные ГЭК -- транзисторна структура -- транзисторая структура -- транзисторні аналоги -- транзисторые аналоги -- індукційні транзистори -- индукционные транзисторы -- схемотехнічні рішення -- схемотехнические решения -- параметри генераторів -- параметры генераторов -- оптично керовані ГЕК -- оптически управляемые ГЭК Аннотация: Побудова генераторів електричних коливань з електричною перебудовою частоти генерації на основі транзисторих структур з від'ємним опором. Держатели документа: ЖОУНБ ім. О. Ольжича Доп.точки доступа: Осадчук, О. В.; Семенов, А. О. Экземпляры всего: 1 ВВ (1) Свободны: ВВ (1)

621.3.049.77 A23     Агаханян, Татевос Мамиконович.     Радиационные эффекты в интегральных микросхемах [] / Т. М. Агаханян. - М. : Энергоатомиздат, 1989. - 256 с. : рис., табл. - Лит.: с. 242-251. - ISBN 5-283-02963-8 : 3.20 р. УДК 621.3.049.77 ББК 32.844.1 Рубрики: Інтегральні мікросхеми--Наукові видання     фывфывфыв: оценка внутренней радиационной обстановки -- оцінка внутрішньої радіаційної обстановки -- формирование радиационных эффектов -- формування радіаційних ефектів -- электрофизические параметры полупроводников -- елетрофізичні параметри напівпровідників -- электрофизические параметры диэлектриков -- електрофізичні параметри діелектриків -- биполярные транзисторы -- біполярні транзистори -- униполярые транзисторы -- уніполярні транзистори -- модели электронно-дырочных переходов -- моделі електронно-діркових переходів -- транзисторные структуры -- транзисторні структури -- шумовые свойства транзисторов -- шумові властивості транзисторів -- логические микросхемы -- логічні мікросхеми -- биполярные микросхемы -- біполярні мікросхеми -- стойкость цифровых микросхем -- стійкість цифрових мікросхем -- остаточные радиационные эффекты -- залшкові радіаційні еффекти Аннотация: Теория взаимодействия ионизирующих излучений с материалами электронной техники. Держатели документа: ЖОУНБ ім. О. Ольжича Доп.точки доступа: Аствацатурьян, Евгений Раффиевич; Скоробогатов, Петр Константинович; Агаханян, Татевос Мамиконович \ред.\ Экземпляры всего: 1 ВВ (1) Свободны: ВВ (1)