537.3(075)
П 24


    Пека, Генгріетта Павлівна.
    Поверхневі та контактні явища у напівпровідниках [] : підручник / Г. П. Пека, В. І. Стріха. - К. : Либідь, 1992. - 240 с. : рис. - Л-ра: с. 234-235. - ISBN 5-325-00003-9 : 6.00 крб
УДК
ББК 22.379я73
Рубрики: Напівпровідники--Навчальні видання для вищої школи
   
фывфывфыв:
напівпровідники -- полупроводники -- поверхневі явища -- поверхностные явления -- електронні стани -- электронные состояния -- квантові ефекти -- квантовые эффекты -- фотоелектричні явища -- фотоэлектрические явления -- оптичні явища -- оптические явления -- рекомбінація -- рекомбинация -- гетеропереходи -- гетеропереходы -- гомопереходи -- гомопереходы -- контактні явища -- контактные явления -- пробійні явища -- пробойные явления -- омічні контакти -- омические контакты -- вольт-амперні характеристики -- вольт-амперные характеристики
Аннотация: Викладено сучасні уявленя про природу електронних станів на ідеальній та реальній поверхні напівпровідників, описано електрофізичні властивості їх приповерхневої області, розглянуто фотоелектричні та оптичні явища в цій області.

Держатели документа:
ЖОУНБ ім. О. Ольжича

Доп.точки доступа:
Стріха, В. І.
Экземпляры всего: 1
ФОНД (1)
Свободны: ФОНД (1)

537.3
Б24


    Баранський, Петро Iванович.
    Фiзичнi властивостi кристалiв кремнiю та германiю в полях ефективного зовнiшнього впливу [] / П. I. Баранський, А. В. Федосов, Г. П. Гайдар. - Луцьк : Надстир'я, 2000. - 279 с. - Літ.: с. 250-278. - ISBN 966-517-222-0 : 8.00 грн
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Напівпровідники--Навчальні видання
   Кремній--Кристали--Навчальні видання

фывфывфыв:
кристали кремнію -- кристали германію -- фізичні властивості напівпровідників -- зонна структура -- напівпровідникові кристали -- п'єзоопір -- багатодолинні напівпровідники -- ємнісна спектроскопія
Аннотация: Розглянуто вплив електричних, магнітних і теплових полів на електричні, термоелектричні, гальвано- і термомагнітні явища в технічно актуальних багатодолинних напівпровідниках.

Держатели документа:
ЖОУНБ ім. О. Ольжича

Доп.точки доступа:
Федосов, Анатолій Васильович; Гайдар, Галина Петрівна
Экземпляры всего: 4
ФОНД (1), ВВ (1), ЧЗ (2)
Свободны: ФОНД (1), ВВ (1), ЧЗ (2)

621.391.822.3
Л 84


    Лукьянчикова, Наталия Борисовна.
    Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах [] / Н. Б. Лукьянчикова. - М. : Радио и связь, 1990. - 296 с. : ил. - Лит.: с. 278-290. - ISBN 5-256-00496-4 : 4.50 р.
УДК
ББК 22.333.24
Рубрики: Напівпровідникові прилади--Наукові видання
   Напівпровідники--Наукові видання

фывфывфыв:
флуктуационные процессы -- флуктуаційні процеси -- полупроводниковые резисторы -- напівпровідникові резистори -- флуктуационные исследования -- флуктуаційні дослідження -- фотопроводимость -- фотопровідність -- фотолюминесценция -- фотолюмінесценція -- резисторы -- резистори -- фоторезисторы -- фоторезистори -- лавинные диоды -- лавинні діоди
Аннотация: Рассмотрены современные методы теоретического анализа флуктуационных явлений в полупроводниках.

Держатели документа:
ЖОУНБ ім. О. Ольжича
Экземпляры всего: 1
ФОНД (1)
Свободны: ФОНД (1)

537.311.322(075.8)
К43


    Киреев, Петр Семенович.
    Физика полупроводников [] : учеб. пособие для студентов вузов / П. С. Киреев. - 2-е изд., доп. - М. : Высш. шк., 1975. - 584 с. : рис. - Предм. указ.: с. 577-581. - 1.37 р.
УДК
ББК 22.379.2я73
Рубрики: Напівпровідники--Навчальні видання для вищої школи
   Кристалографія--Навчальні видання для вищої школи

фывфывфыв:
фізика напівпровідників -- электронная теория проводимости -- зонная теория полупроводников -- зонна теорія напівпровідників -- теория рассеяния носителей заряда -- теорія розсіювання носіїв заряду -- рекомбинация носителей заряда -- рекомбінація носіїв заряду -- спектр поглощения света -- спектр поглинання світла -- энергетические зоны -- енергетичні зони -- фоторезистивный эффект -- фоторезістивний ефект
Аннотация: В книге рассматриваются элементы электронной теории проводимости и проводимости полупроводников; зонная теория на основе теории возмущения; статистика электронов и дырок; кинетические явления в полупроводниках; теория рассеяния, контактные и неравновесные явления на основе уравнения непрерывности.

Держатели документа:
ЖОУНБ ім. О. Ольжича
Экземпляры всего: 1
ЧЗ (1)
Свободны: ЧЗ (1)