Г25 Гвоздев, Василий Иванович. Объемные интегральные схемы СВЧ - элементная база аналоговой и цифровой радиоэлектроники [] / В. И. Гвоздев, Е. И. Нефёдов. - М. : Наука, 1987. - 112 с. : рис. - (Проблемы науки и технического прогресса). - Лит.: с. 110. - 0.40 р.
Рубрики: Радіоелектроніка--Інтегральні мікросхеми--Практичні посібники Кл.слова (ненормовані): развитие радиоэлектроники -- розвиток радіоелектроніки -- электродинамическое моделировние -- електродинамічне моделювання -- гибридные схемы -- гібридні схеми -- многоканальные устройства -- багатоканальні пристрої -- усилительные структуры -- підсилюючі структури -- гибкое автоматизированное производство -- гнучке автоматизоване виробництво -- робототехника -- робототехніка -- контрольные датчики -- контрольні датчики Анотація: Разработки базовых элементов функциональных устройств на основе интегральных схем. Утримувачі документа: ЖОУНБ ім. О. Ольжича Дод.точки доступу: Нефёдов, Евгений Иванович Примірників всього: 1 ВВ (1) Свободны: ВВ (1) |
Т40 Тилл, Уильям. Интегральные схемы. Материалы, приборы, изготовление [] = Integrated Circuits: Materials, Devices, and Fabrication / У. Тилл, Дж. Лаксон ; пер. c англ.: М. Б. Левина, В. Г. Микуцького ; под ред. М. В. Гальперина. - Москва : Мир, 1985. - 501 с. : рис., табл. - Задачи: с. 490-494. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 496-501. - 2.40 р. Рубрики: Інтегральні мікросхеми--Матеріали--Прилади--Виготовлення--Практичні посібники Кл.слова (ненормовані): интегральные микросхемы -- технология интегральных схем -- технологія інтегральгних схем -- свойства кристаллов -- властивості кристалів -- фазовые диаграммы -- фазові діаграми -- диффузия -- дифузія -- выращивание эпитаксиальных слоев -- вирощування епітаксійних шарів -- биполярные транзисторы -- біполярні транзистори -- системы металл-окисел-полупроводники -- системи метал--окисел-напівпровідники -- полевые транзисторы -- польові транзистори -- литография -- літографія -- гибридные схемы -- гібридні схеми -- цифровые логические элементы -- цифрові логічні елементи Анотація: Методы введения примесей в полупроводники, выращивания эпитаксиальных пленок, теория и свойства диодов, биполярных и полевых транзисторов. Утримувачі документа: ЖОУНБ ім. О. Ольжича Дод.точки доступу: Лаксон, Джеймс; Левин, М. Б. \пер.\; Микуцький, В. Г. \пер.\; Гальперин, М. В. \ред.\ Примірників всього: 1 ВВ (1) Свободны: ВВ (1) |