32.843 К 93     Курносов, Анатолий Иванович.     Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем [] : учеб. пособие для сред. проф.-техн. училищ / А. И. Курносов. - 2-е изд., перераб. и доп. - М. : Высш. шк., 1980. - 327 с. : рис., табл. - (Профтехобразование. Полупроводники). - Лит.: с. 324. - 0.80 р. УДК 621.315.5(075.8) ББК 32.843 Рубрики: Напівпровідникові матеріали--Навчальні видання     Кл.слова (ненормовані): напівпровідникові матеріали -- полупроводниковые материалы -- напівпровідникові епітаксиальні структури -- полупроводниковые эпитаксиальные структуры -- абразивні матеріали -- абразивные материалы -- алмазні порошки -- алмазные порошки -- полірувальні матеріали -- полировальные материалы -- хімічні матеріали -- химические материалы -- фотолітографія -- фотолитография -- фоторезистори -- фоторезисторы -- фотошаблони -- дифузанти -- диффузанты -- електродні матеріали -- электродные материалы -- компаунди -- епоксидні смоли -- эпоксидные смолы -- припої -- припои -- асбестові матеріали -- асбестовые материалы -- графіт -- графит -- гази -- газы -- електроліти -- электролиты -- провідність напівпровідникових матеріалів -- проводимость полупроводниковых материалов -- контроль якості матеріалів -- контроль качества материалов -- кінематична в'язкість -- кинематическая вязкость Анотація: Электрофизические свойства материалов, используемых при производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Утримувачі документа: ЖОУНБ ім. О. Ольжича Примірників всього: 1 ВВ (1) Свободны: ВВ (1)

32.843.3 М 60     Мильвидский, Михаил Григорьевич.     Полупроводниковые материалы в современной электронике [] / М. Г. Мильвидский. - М. : Наука, Гл. ред. физ.-мат. лит., 1986. - 144 с. : рис., табл. - (Проблемы науки и технического прогресса). - Лит.: с. 144. - 0.50 р.ББК 32.843.3 Рубрики: Напівпровідникові матеріали--Практичні посібники     Кл.слова (ненормовані): досконалі монокристали -- совершенные монокристаллы -- кремній -- кремний -- арсенід галія -- арсенид галлия -- фосфід індія -- фосфид индия -- епітаксиальні структури -- эпитаксиальные структуры -- власні точечні структурні дефекти -- собственные точечные структурные дефекты -- розподіл домішок -- распределение примесей -- досконалі гетероструктури -- совершенные гетероструктуры -- гомоепітаксиальні структури -- гомоэпитаксиальные структуры -- полікристалічні напівпровідники -- поликристаллические полупроводники -- аморфні напівпровідники -- аморфные полупроводники Анотація: Закономерности деффектообразования, особенности текстуированных полупроводников, новые тенденции в их создании и применении. Утримувачі документа: ЖОУНБ ім. О. Ольжича Примірників всього: 1 ВВ (1) Свободны: ВВ (1)