С79 Степанов, Аркадий Евгеньевич. Математическое моделирование процессов выращивания кристаллических полупроводниковых материалов [] : монография / А. Е. Степанов, Л. Г. Кириллова ; отв. ред. Г. Е. Пухов. - К. : Наукова думка, 1988. - 184 с. - Лит.: с. 176-182. - ISBN 5-12-009333-7 : 2.20 р.
Рубрики: Напівпровідникові матеріали та вироби--Кристалізація--Математичне моделювання--Наукові видання Кл.слова (ненормовані): кристаллизация -- кристалізація -- кристаллические полупроводниковые материалы -- выращивание монокристаллов -- кристалічні напівпровідникові матеріали -- вирощування монокристалів -- выращивание эпитаксиальных слоев -- вирощування епітаксійних шарів Анотація: Теория и методы расчета процессов переноса тепла и массы вещества в системах с фазовыми переходами. Утримувачі документа: ЖОУНБ ім. О. Ольжича Дод.точки доступу: Кириллова, Л. Г.; Пухов, Г. Е. \отв. ред.\ Примірників всього: 1 ФОНД (1) Свободны: ФОНД (1) |
Т40 Тилл, Уильям. Интегральные схемы. Материалы, приборы, изготовление [] = Integrated Circuits: Materials, Devices, and Fabrication / У. Тилл, Дж. Лаксон ; пер. c англ.: М. Б. Левина, В. Г. Микуцького ; под ред. М. В. Гальперина. - Москва : Мир, 1985. - 501 с. : рис., табл. - Задачи: с. 490-494. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 496-501. - 2.40 р. Рубрики: Інтегральні мікросхеми--Матеріали--Прилади--Виготовлення--Практичні посібники Кл.слова (ненормовані): интегральные микросхемы -- технология интегральных схем -- технологія інтегральгних схем -- свойства кристаллов -- властивості кристалів -- фазовые диаграммы -- фазові діаграми -- диффузия -- дифузія -- выращивание эпитаксиальных слоев -- вирощування епітаксійних шарів -- биполярные транзисторы -- біполярні транзистори -- системы металл-окисел-полупроводники -- системи метал--окисел-напівпровідники -- полевые транзисторы -- польові транзистори -- литография -- літографія -- гибридные схемы -- гібридні схеми -- цифровые логические элементы -- цифрові логічні елементи Анотація: Методы введения примесей в полупроводники, выращивания эпитаксиальных пленок, теория и свойства диодов, биполярных и полевых транзисторов. Утримувачі документа: ЖОУНБ ім. О. Ольжича Дод.точки доступу: Лаксон, Джеймс; Левин, М. Б. \пер.\; Микуцький, В. Г. \пер.\; Гальперин, М. В. \ред.\ Примірників всього: 1 ВВ (1) Свободны: ВВ (1) |