А 85 Арсенид галлия в микроэлектронике [] = VLSI Elctronics Microstructure Scince / [У. Уиссмен и др.] ; под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена ; пер. с англ. под ред. В. Н. Мордковича. - М. : Мир, 1988. - 555 с. : рис., табл. - Авт. указ. на оборот. тит. л. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 548-552. - ISBN 5-03-000130-1 : 4.90 р.
Рубрики: Інтегральні мікросхеми--Проектування--Наукові видання Електротехнічні матеріали і вироби--Наукові видання фывфывфыв: изготовление интегральных схем -- виготовлення інтегральних схем -- граница раздела -- межа розділу -- полевые транзисторы -- польові транзистори -- цифровые интегральные схемы -- цифрові інтегральні схеми -- гетероструктурный транзистор -- гетероструктурний транзистор -- фотолитография -- фотоліторгафія -- барьеры Шоттки -- бар'єри Шотткі -- матрицы логических элементов -- матриці логічних елементів -- ионная имплантация -- іонна імплантація -- метод Берга-Барретта Аннотация: Разработки и технология изготовление арсенидгаллиевых интегральных схем, обладающих высокой стойкостью к воздействию радиации и высоких температур. Держатели документа: ЖОУНБ ім. О. Ольжича Доп.точки доступа: Уиссмен, У.; Френсли, У.; Дункан, У.; Уестфел, Дж.; Айнспрук, Н. \ред.\; Уиссмен, У. \ред.\; Данилин, А. Б. \пер.\; Ерохин, Ю. Н. \пер.\; Налбандов, Б. Г. \пер.\; Эйдельман, Б. Л. \пер.\; Мордкович, В. Н. \ред.\ Экземпляры всего: 1 ВВ (1) Свободны: ВВ (1) |