Г 74 Готра, Зенон Юрійович Технологія електронної техніки [Текстььь] : навч. посібник : у 2 т. / З. Ю. Готра. - Львів : Вид-во Львів. політехніки, 2010. Т. 1. - 888 с. : рис., табл. - Л-ра: с.883. - ISBN 978-966-553-882-0 : 470.00 грн, 100.00 грн
Рубрики: Електроніка--Навчальні видання для вищої школи фывфывфыв: будова кристалів -- техніка вакууму -- фізика вакууму -- напівпровідникові матеріали -- монокристали -- фізика поверхні напівпровідників -- дифузія у напівпровідниках -- теорії епітаксійського росту -- іонна імплантація -- плазмова технологія травлення -- лазерна обробка Аннотация: Вирощування монокристалів, механічну, фізико-хімічну обробку матеріалів та напівпровідникових структур. Держатели документа: ЖОУНБ ім. О. Ольжича Экземпляры всего: 3 ФОНД (1), ВВ (2) Свободны: ФОНД (1), ВВ (2) |
Т76 Трохимчук, Петро Павлович. Радіаційна фізика твердого тіла (курс лекцій) [] : навч. посібник / П. П. Трохимчук. - Луцьк : "Вежа" Волин. держ. ун-ту ім. Л. Українки, 2007. - 394 с. : рис. - Л-ра: с. 329-355. - Дод.: с. 356-377. - Предм.-ім. покажч.: с. 378-393. - ISBN 978-966-600-298-6 : 22.00 грн
Рубрики: Фізика--Тверді тіла--Навчальні видання для вищої школи Ядерна фізика--Навчальні видання для вищої школи фывфывфыв: типи опромінення -- типы облучения -- теорія розсіяння -- теория рассеяния -- розподіл первинних співударів -- распределение первичных соударений -- теорії гальмування частинок -- теории торможения частиц -- ядерні реакції -- ядерные реакции -- підпорогове дефектоутворення -- подпороговое дефектообразование -- релаксаційні ефекти -- релаксационные эффекты -- кластери радіаційних дефектів -- кластеры радиационных дефектов -- каскади атомних зміщень -- каскады атомных смещений -- іонна імплантація -- ионная имплантация -- релаксаційна оптика -- релаксационная оптика Аннотация: Основні теоретичні підходи радіаційної фізики твердого тіла й аналіз базових експериментальних результатів. Держатели документа: ЖОУНБ ім. О. Ольжича Экземпляры всего: 1 ЧЗ (1) Свободны: ЧЗ (1) |
А 85 Арсенид галлия в микроэлектронике [] = VLSI Elctronics Microstructure Scince / [У. Уиссмен и др.] ; под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена ; пер. с англ. под ред. В. Н. Мордковича. - М. : Мир, 1988. - 555 с. : рис., табл. - Авт. указ. на оборот. тит. л. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 548-552. - ISBN 5-03-000130-1 : 4.90 р.
Рубрики: Інтегральні мікросхеми--Проектування--Наукові видання Електротехнічні матеріали і вироби--Наукові видання фывфывфыв: изготовление интегральных схем -- виготовлення інтегральних схем -- граница раздела -- межа розділу -- полевые транзисторы -- польові транзистори -- цифровые интегральные схемы -- цифрові інтегральні схеми -- гетероструктурный транзистор -- гетероструктурний транзистор -- фотолитография -- фотоліторгафія -- барьеры Шоттки -- бар'єри Шотткі -- матрицы логических элементов -- матриці логічних елементів -- ионная имплантация -- іонна імплантація -- метод Берга-Барретта Аннотация: Разработки и технология изготовление арсенидгаллиевых интегральных схем, обладающих высокой стойкостью к воздействию радиации и высоких температур. Держатели документа: ЖОУНБ ім. О. Ольжича Доп.точки доступа: Уиссмен, У.; Френсли, У.; Дункан, У.; Уестфел, Дж.; Айнспрук, Н. \ред.\; Уиссмен, У. \ред.\; Данилин, А. Б. \пер.\; Ерохин, Ю. Н. \пер.\; Налбандов, Б. Г. \пер.\; Эйдельман, Б. Л. \пер.\; Мордкович, В. Н. \ред.\ Экземпляры всего: 1 ВВ (1) Свободны: ВВ (1) |
М78 МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов [] = Process and Device Simulaion for MOS-VLSI Circuits / под ред. П. Антонетти [и др.] ; пер. с англ.: В. Л. Кустова, В. М. Петрова, Р. А. Селляховой ; под ред. Р. А. Суриса. - Москва : Радио и связь, 1988. - 496 с. : рис., табл. - Лит.: с. 488-490. - Список работ, пер. на рус. яз.: с. 491. - ISBN 5-256-00130-2 : 4.10 р. Рубрики: Інтегральні мікросхеми--Виготовлення--Практичні посібники Математичне моделювання--Технологічні процеси--Практичні посібники фывфывфыв: интегральные микросхемы -- математическое моделирование -- технологические процессы -- диффузия в кремнии -- дифузія в кремнії -- термическое окисление кремния -- термічне окислення кремнію -- хлорированные окислы -- хлоровані оксиди -- ионная имплантация -- іонна імплантація -- пучковый отжиг имплантированного кремния -- пучковий отжиг імплантованого кремнію -- контроль материалов -- контроль матеріалів -- поликристаллические кремниевые структуры -- полікристалічні кремнієві структури -- двумерное моделирование -- двовимірне моделювання -- численное моделирование процессов -- чисельне моделювання процесів -- оптическая литография -- оптична літографія -- анализ планарных приборов -- аналіз планарних приладів -- метод конечных элементов -- метод кінцевих елементів Аннотация: Модели диффузии, ионной имплантации, окисления, отжига, литографии, травления и модели, описывающие функциональные МОП-транзисторов. Держатели документа: ЖОУНБ ім. О. Ольжича Доп.точки доступа: Антонетти, П. \ред.\; Антониадис, Д. \ред.\; Даттон, Р. \ред.\; Оулдхем, У. \ред.\; Кустов, В. Л. \пер.\; Петров, В. М. \пер.\; Селляхова, Р. А. \пер.\; Сурис, Р. А. \ред.\ Экземпляры всего: 1 ВВ (1) Свободны: ВВ (1) |
Т38 Технология СБИС [Текстььь] = VLSI Technology : в 2 кн. / под ред. С. Зи. - Москва : Мир, 1986. Кн. 1 / под ред. Ю. Д. Чистякова ; пер. с англ.: В. М. Звероловлева и др. ; [К. Пирс и др.]. - Авт. зазначено на звороті тит. арк. - Библиогр. в конце глав. - 3.0 р. Рубрики: Електронні прилади--Інтегральні мікросхеми--Технологія--Наукові видання фывфывфыв: электронные устройства -- интегральные микросхемы -- электронный кремний -- електронний кремній -- рост кристаллов -- ріст кристалів -- эпитаксия -- епітаксія -- осаждение диэлектрических пленок -- осадження діелектричних плівок -- окисление -- окислення -- диффузия -- дифузія -- ионная имплантация -- іонна імплантація -- литография -- літографія Аннотация: Получение микрокристаллов кремния, подготовка подложек, выращивания эпитаксиальных слоев, осаждения пленок. Держатели документа: ЖОУНБ ім. О. Ольжича Доп.точки доступа: Зи, С. \ред.\; Пирс, К.; Адамс, А.; Кац , Л.; Цай, Джю; Звероловлев, В. М. \пер.\; Лейкин, В. Н. \пер.\; Петров, В. Б. \пер.\; Эйдельман, Б. Л. \пер.\; Чистяков, Ю. Д. \ред.\ Экземпляры всего: 1 ВВ (1) Свободны: ВВ (1) |
Х68 Ховерко, Юрій Миколайович. Технологія елементів зінтегрованих схем мікро- та наносистемної техніки [] : навч. посіб. / Ю. М. Ховерко, І. П. Островський, А. О. Дружинін ; [ред. О. Дорошенко] ; М-во освіти і науки України, Нац. ун-т "Львів. політехніка". - Львів : Вид-во Львів. політехніки, 2018. - 171, [1] с. : іл., табл., портр. - Скор.: с. 5-6. - Літ.: с. 164-169. - ISBN 978-966-941-219-5 : 125.00 грн
Рубрики: Нанотехнології--Схемотехніка--Виготовлення--Навчальні видання фывфывфыв: кремнієві мікроструктури -- технологія напівпровідникового виробництва -- закони дифузії Фіка -- дифузійні процеси -- процеси епітаксії -- осадження полікристалічного кремнію -- іонна імплантація -- процеси окислення -- рівні проектування -- ультравеликі зінтегровані схеми -- наноелектромеханічні системи -- методи контролю зінтегрованих схем Аннотация: Методи отримання зінтегрованих схем, розглянуто фізичні процеси і властивості основних технологічних процесів під час створення зінтегрованних схем. Держатели документа: ЖОУНБ ім. О. Ольжича Доп.точки доступа: Островський, Ігор Петрович; Дружинін, Анатолій Олександрович; Дорошенко, Ольга \ред.\; Міністерство освіти і науки України; Національний університет "Львівська політехніка" Экземпляры всего: 1 ВВ (1) Свободны: ВВ (1) |