А 85 Арсенид галлия в микроэлектронике [] = VLSI Elctronics Microstructure Scince / [У. Уиссмен и др.] ; под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена ; пер. с англ. под ред. В. Н. Мордковича. - М. : Мир, 1988. - 555 с. : рис., табл. - Авт. указ. на оборот. тит. л. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 548-552. - ISBN 5-03-000130-1 : 4.90 р.
Рубрики: Інтегральні мікросхеми--Проектування--Наукові видання Електротехнічні матеріали і вироби--Наукові видання фывфывфыв: изготовление интегральных схем -- виготовлення інтегральних схем -- граница раздела -- межа розділу -- полевые транзисторы -- польові транзистори -- цифровые интегральные схемы -- цифрові інтегральні схеми -- гетероструктурный транзистор -- гетероструктурний транзистор -- фотолитография -- фотоліторгафія -- барьеры Шоттки -- бар'єри Шотткі -- матрицы логических элементов -- матриці логічних елементів -- ионная имплантация -- іонна імплантація -- метод Берга-Барретта Аннотация: Разработки и технология изготовление арсенидгаллиевых интегральных схем, обладающих высокой стойкостью к воздействию радиации и высоких температур. Держатели документа: ЖОУНБ ім. О. Ольжича Доп.точки доступа: Уиссмен, У.; Френсли, У.; Дункан, У.; Уестфел, Дж.; Айнспрук, Н. \ред.\; Уиссмен, У. \ред.\; Данилин, А. Б. \пер.\; Ерохин, Ю. Н. \пер.\; Налбандов, Б. Г. \пер.\; Эйдельман, Б. Л. \пер.\; Мордкович, В. Н. \ред.\ Экземпляры всего: 1 ВВ (1) Свободны: ВВ (1) |
Э45 Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника [] : учеб. пособие для вузов / [Ю. Л. Бобровский и др.] ; под ред. Н. Д. Федорова. - М. : Радио и связь, 1998. - 560 с. : рис. - Авт. указан на обороте тит. л. - Прил.: с. 537-549. - Лит.: с. 550-551. - Предм. указ.: с. 551-553. - ISBN 5-256-01169-3 : 21.48 грн
Рубрики: Електронні прилади--Квантова електроніка--Мікроелектроніка--Навчальні видання для вищої школи фывфывфыв: модели электронных приборов -- моделі електронних приладів -- свойства полупроводников -- властивості напівпровідників -- электрические переходы -- електричні переходи -- полупроводниковые диоды -- напівпровідникові діоди -- биполярные транзисторы -- біполярні транзистори -- тиристоры -- тиристори -- интегральные схемы -- інтегральні схеми -- интегральные активные элементы -- інтегральні активні елементи -- аналоговые интегральные схемы -- аналогові інтегральні схеми -- цифровые интегральные схемы -- цифрові інтегральні схеми -- функциональная электроника -- функціональна електроніка -- фотоэлектрические приборы -- фотоелектричні прилади -- клистроны -- клістрони -- лампы бегущей волны -- лампи біжучої хвилі -- транзисторы на сверхвысоких частотах -- транзистори надвисоких частот -- лавино-пролетные диоды -- лавино-пролітні діоди -- диоды Ганна -- діоди Ганна -- квантовые стандарты частот -- квантові стандарти частот -- лазеры -- лазери Аннотация: Изложены принцип действия, физические процессы, характеристики, параметры и модели полупроводниковых и электровакуумных приборов, полупроводниковых приборов сверхвысоких частот. Держатели документа: ЖОУНБ ім. О. Ольжича Доп.точки доступа: Бобровский, Юрий Львович; Корнилов, Сергей Александрович; Кратиров, Игорь Алексеевич; Овчинников, К. Д.; Федоров, Н. Д. \ред.\ Экземпляры всего: 1 ВВ (1) Свободны: ВВ (1) |