537.226.4:621.315.5
Т 56


    Томашпольський, Юрий Яковлевич.
    Пленочные сегнетоэлектрики [] / Ю. Я. Томашпольський. - М. : Радио и связь, 1984. - 192 с. : рис., табл. - Лит.: с. 185-191. - 2.20 р.
УДК
ББК 32.841.41
Рубрики: Сегнетоелектрики--Матеріали та вироби--Наукові видання
   
фывфывфыв:
сегнетоелектрика в тонкому шарі -- сегнетоэлектрика в тонком слое -- електронно-зондові методи -- электронно-зондовые методы -- фотонно-зондовые методы -- фотонно-зондові методи -- іонно-зондові методи -- ионно-зондовые методы -- вакуумні конденсати сегнетоелектриків -- вакуумные конденсаты сегнетоэлектриков -- локальна нестихіометрія -- локальная нестехиометрия -- катіонна нестихіометрія -- катионная нестехиометрия -- аніонна нестихіометрія -- анионная нестехиометрия -- спонтанна деформація -- спонтанная деформация -- монокристалічні плівки -- монокристаллические пленки -- епітаксія -- эпитаксия -- властивості сегнтоелектричних плівок -- свойства сегнетоэлектрических пленок -- застосування сегнетоелектриків -- применение сегнетоэлектриков
Аннотация: Аналитический обзор современного состояния проблем пленочного материаловедения сегнетоэлектриков.

Держатели документа:
ЖОУНБ ім. О. Ольжича
Экземпляры всего: 1
ВВ (1)
Свободны: ВВ (1)

621.3.049.77
Г74


    Готра, Зенон Юрійович.
    Лазерні методи обробки в мікроелектроніці [] / З. Ю. Готра, Я. В. Бобицький . - Л. : Світ, 1991. - 168 с. : рис., табл. - Л-ра: с. 154-165. - ISBN 5-11-000838-8 : 4.00 крб
УДК
ББК 32.844.1
Рубрики: Мікроелектроніка--Лазерна обробка--Наукові видання
   
фывфывфыв:
лазерне випромінювання -- лазерное излучение -- діагностика лазерної обробки -- диагностика лазерной обработки -- техніка лазерної обробки -- техника лазерной обработки -- оптична діагностика зони обробки -- оптическая диагностика зоны обработки -- лазерний відпал -- лазерный отжиг -- лазерна епітаксія -- лазерная эпитаксия -- лазерне легування -- лазерное легирование -- лазерний синтез -- лазерный синтез -- лазерно-стимульовані процеси травлення -- лазерно-стимулирующие процессы травления -- лазерно-стимульовані процеси осадження -- лазерно-стимулирующие процессы осаждения
Аннотация: Викладені фізико-технічні основи процесів створення приладів мікроелектроніки на базі лазерної техніки.

Держатели документа:
ЖОУНБ ім. О. Ольжича

Доп.точки доступа:
Бобицький , Ярослав Володимирович
Экземпляры всего: 1
ВВ (1)
Свободны: ВВ (1)

32.844.1
Т38


    Технология СБИС [Текстььь] = VLSI Technology : в 2 кн. / под ред. С. Зи. - Москва : Мир, 1986.
   Кн. 1 / под ред. Ю. Д. Чистякова ; пер. с англ.: В. М. Звероловлева и др. ; [К. Пирс и др.]. - Авт. зазначено на звороті тит. арк. - Библиогр. в конце глав. - 3.0 р.
ББК 32.844.1
Рубрики: Електронні прилади--Інтегральні мікросхеми--Технологія--Наукові видання
фывфывфыв:
электронные устройства -- интегральные микросхемы -- электронный кремний -- електронний кремній -- рост кристаллов -- ріст кристалів -- эпитаксия -- епітаксія -- осаждение диэлектрических пленок -- осадження діелектричних плівок -- окисление -- окислення -- диффузия -- дифузія -- ионная имплантация -- іонна імплантація -- литография -- літографія
Аннотация: Получение микрокристаллов кремния, подготовка подложек, выращивания эпитаксиальных слоев, осаждения пленок.

Держатели документа:
ЖОУНБ ім. О. Ольжича

Доп.точки доступа:
Зи, С. \ред.\; Пирс, К.; Адамс, А.; Кац , Л.; Цай, Джю; Звероловлев, В. М. \пер.\; Лейкин, В. Н. \пер.\; Петров, В. Б. \пер.\; Эйдельман, Б. Л. \пер.\; Чистяков, Ю. Д. \ред.\
Экземпляры всего: 1
ВВ (1)
Свободны: ВВ (1)