Т38 Технология СБИС [Текстььь] = VLSI Technology : в 2 кн. / под ред. С. Зи. - Москва : Мир, 1986. Кн. 1 / под ред. Ю. Д. Чистякова ; пер. с англ.: В. М. Звероловлева и др. ; [К. Пирс и др.]. - Авт. зазначено на звороті тит. арк. - Библиогр. в конце глав. - 3.0 р. Рубрики: Електронні прилади--Інтегральні мікросхеми--Технологія--Наукові видання фывфывфыв: электронные устройства -- интегральные микросхемы -- электронный кремний -- електронний кремній -- рост кристаллов -- ріст кристалів -- эпитаксия -- епітаксія -- осаждение диэлектрических пленок -- осадження діелектричних плівок -- окисление -- окислення -- диффузия -- дифузія -- ионная имплантация -- іонна імплантація -- литография -- літографія Аннотация: Получение микрокристаллов кремния, подготовка подложек, выращивания эпитаксиальных слоев, осаждения пленок. Держатели документа: ЖОУНБ ім. О. Ольжича Доп.точки доступа: Зи, С. \ред.\; Пирс, К.; Адамс, А.; Кац , Л.; Цай, Джю; Звероловлев, В. М. \пер.\; Лейкин, В. Н. \пер.\; Петров, В. Б. \пер.\; Эйдельман, Б. Л. \пер.\; Чистяков, Ю. Д. \ред.\ Экземпляры всего: 1 ВВ (1) Свободны: ВВ (1) |